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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF635-010 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 250V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF635-011 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 250V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF635-012 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 250V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF635-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 250V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF635-013PBF | INFINEON |
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6.8A, 250V, 0.68ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF635PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 250V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF636 | ROCHESTER |
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8.1A, 275V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF637 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-220AB |
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| IRF640 | NXP |
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N-channel TrenchMOS transistor |
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| IRF640 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET |
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