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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF612-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF612-013PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF612R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-220AB |
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| IRF613 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF613 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V |
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| IRF613 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 150V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| IRF613-001 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF613-001PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF613-002 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF613-002PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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