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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF614 | INTERSIL |
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2.0A, 250V, 2.0 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRF614 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF614 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF614-012 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF614-017PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF614-031 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF614A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-220AB |
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| IRF614AJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF614B | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET |
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| IRF614BJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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