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IRF540N

更新时间: 2024-02-12 07:42:27
品牌 Logo 应用领域
NJSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 978K
描述
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

IRF540N 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.28
Samacsys Description:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB其他特性:AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas):185 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):33 A最大漏源导通电阻:0.044 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:94 W最大脉冲漏极电流 (IDM):110 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON

IRF540N 数据手册

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