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IRF540NSPBF

更新时间： 2024-12-01 04:23:15
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
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11页 280K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

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IRF540NSPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：6.81
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：185 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：27 A
最大漏极电流 (ID)：33 A最大漏源导通电阻：0.044 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：94 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF540NSPBF 数据手册

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PD - 95130  
IRF540NSPbF  
IRF540NLPbF  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
HEXFET® Power MOSFET  
D
VDSS = 100V  
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
RDS(on) = 44mΩ  
G
Description  
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per  
silicon area. This benefit, combined with the fast  
switching speed and ruggedized device design that  
HEXFET power MOSFETs are well known for, provides  
the designer with an extremely efficient and reliable  
device for use in a wide variety of applications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the  
highest power capability and the lowest possible on-  
resistance in any existing surface mount package. The  
D2Pak is suitable for high current applications because of  
its low internal connection resistance and can dissipate up  
to 2.0W in a typical surface mount application.  
ID = 33A  
S
D2Pak  
IRF540NSPbF IRF540NLPbF  
TO-262  
The through-hole version (IRF540NL) is available for low-  
profile applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V ‡  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V ‡  
Pulsed Drain Current ‡  
33  
23  
A
110  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
130  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.87  
± 20  
16  
VGS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Avalanche Current  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ‡  
Operating Junction and  
13  
mJ  
V/ns  
7.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
1.15  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Ambient (PCB mount)**  
–––  
40  
www.irf.com  
1
3/18/04  
1234567...11

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