IRF540N是一种常见的N沟道增强型 MOSFET，用于非常快速的开关操作以及放大过程。与一般晶体管相比，的输入阻抗相当高，因此非常敏感。

IRF540N场效应管详细参数

IRF540N是一种N沟道MOSFET，它有以下主要参数：

1、封装

TO-220，封装是由环氧树脂和塑料的混合物制成，具有作为电子元件的耐高温能力。

2、晶体管类型

N通道，增强型

3、电压规格

漏源电压为 100v ，栅源电压为 20v ，栅源阈值电压为 2 至 4v ，具有高电压规格。

4、电流规格

漏极电流为 20 至 28A ，这是 MOSFET 在正常情况下的最大负载能力。

脉冲漏极电流值为 110A ，在脉冲信号条件下，IRF540充当功率器件。

5、功耗

功耗值为 150W，功耗值主要取决于所使用的封装。

6、峰值二极管

二极管恢复峰值 dv/dt 值为 5.5 V/ns，是 MOSFET 开关时间内的镜像二极管

7、漏源导通电阻

漏源导通电阻为 0.077Ω，是 MOSFET 显示的电阻值，因此 具有较低的导通电阻值。

8、结温

MOSFET 的结温为 -55 至 + 175℃。

9、反向恢复时间

MOSFET 的反向恢复时间为 180 至 360ns，即开始导通前放电所需的时间。

10、总栅极电荷

MOSFET 的总栅极电荷为 72nC，需要注入栅极以打开 MOSFET 的总栅极电荷

IRF540N场效应管引脚图及功能

Gate: 这个引脚是控制MOSFET导通和截止的输入端口。向这个引脚施加正电压将使MOSFET通导。

Drain: 这个引脚是MOSFET的高侧（或输出）连接端口。在正常工作情况下，这个引脚连接到电源电压。

Source: 这个引脚是MOSFET的低侧（或地面）连接端口。在正常工作情况下，这个引脚连接到电路的接地点。

IRF540N可以用什么管代替

1、等效型号

IRF540PBF、RFP30NO6、IRFZ44、IRF3205、IRF5540、RFP2210、BUZ21 等。

2、互补型号

IRF9540 MOSFET。

IRF540N的主要优点是低导通电阻、高可靠性和高速开关特性。它的主要缺点是价格相对较高。但是，由于其在许多应用中具有出色的能力，因此IRF540N仍然是市场上最常用的MOSFET之一。