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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF120EA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF120EB | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF120ED | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF120PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF121 | INTERSIL |
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8.0A and 9.2A, 80V and 100V, 0.27 and 0.36 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs |
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| IRF121 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V |
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| IRF121 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF122 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V |
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| IRF122 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF122 | INTERSIL |
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8.0A and 9.2A, 80V and 100V, 0.27 and 0.36 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs |
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