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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.81 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF120-123 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V |
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| IRF1205 | ETC |
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| IRF120E | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF120EA | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF120EB | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF120ED | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| IRF120PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF121 | INTERSIL |
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8.0A and 9.2A, 80V and 100V, 0.27 and 0.36 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs |
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| IRF121 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V |
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| IRF121 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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