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IR350DM12CPBF

更新时间： 2024-09-18 05:33:43

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英飞凌 - INFINEON		二极管
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3页	110K
描述
1200V, SILICON, RECTIFIER DIODE, WAFER

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IR350DM12CPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-XUUC-N	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.40	风险等级：	5.52
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.96 V	JESD-30 代码：	O-XUUC-N
元件数量：	1	相数：	1
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1200 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

IR350DM12CPBF 数据手册

Bulletin I0123J rev. A 02/97

IR350DM..CCB SERIES

STANDARD RECOVERY DIODES

Junction Size:

Wafer Size:

Square 350 mils

V_RRMClass:

800 and 1200 V

Passivation Process:

Glassivated MOAT

Reference IR Packaged Part: IRKD71 Series

Major Ratings and Characteristics

Parameters

Units

TestConditions

V_FM

Maximum Forward Voltage

960 mV

T_J= 25°C, I_F= 25 A

V_RRMReverse Breakdown Voltage Range

800 and 1200 V T_J= 25°C, I_RRM= 100 µA

(1)

(1)Nitrogen flow on die edge.

Mechanical Characteristics

Nominal Back Metal Composition, Thickness

Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)

100% Al, (20 µm)

Nominal Front Metal Composition, Thickness

Chip Dimensions

350 x 350 mils (see drawing)

100 mm, with std. < 110 > flat

300 µm, ± 10 µm

Wafer Diameter

Wafer Thickness

Maximum Width of Sawing Line

Reject Ink Dot Size

45 µm

0.25 mm diameter minimum

Seedrawing

Ink Dot Location

Recommended Storage Environment

Storage in original container, in dessicated

nitrogen,withnocontamination

www.irf.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IR350DR-G02	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 90A, 200V V(RRM), Silicon,
IR350DR-G02PBF	INFINEON	获取价格	90A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE
IR350DR-G04	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 90A, 400V V(RRM), Silicon,
IR350DR-G04PBF	INFINEON	获取价格	90A, 400V, SILICON, RECTIFIER DIODE
IR350DR-G06PBF	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 90A, 600V V(RRM), Silicon,
IR350DR-G08	INFINEON	获取价格	90A, 800V, SILICON, RECTIFIER DIODE
IR350DR-G08PBF	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 90A, 800V V(RRM), Silicon,
IR350DR-G10	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 90A, 1000V V(RRM), Silicon
IR350DR-G10PBF	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 90A, 1000V V(RRM), Silicon,
IR350DR-G12	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 90A, 1200V V(RRM), Silicon,