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IR21271SPBF

更新时间: 2024-01-08 14:13:05
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英飞凌 - INFINEON 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管PC
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16页 194K
描述
CURRENT SENSING SINGLE CHANNEL DRIVER

IR21271SPBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SOP, SOP8,.25Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.39.00.01
Factory Lead Time:12 weeks风险等级:0.98
高边驱动器:YES接口集成电路类型:BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:4.9 mm湿度敏感等级:2
功能数量:1端子数量:8
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
标称输出峰值电流:0.5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:15 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.75 mm
子类别:MOSFET Drivers最大供电电压:20 V
最小供电电压:10 V标称供电电压:15 V
电源电压1-最大:620 V电源电压1-分钟:4 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
断开时间:0.2 µs接通时间:0.25 µs
宽度:3.9 mmBase Number Matches:1

IR21271SPBF 数据手册

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IR2127(S) / IR21271(S) / IR2128(S) & (PbF)  
500  
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Temperature ( C)  
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Figure 12A Turn-On Rise Time vs. Temperature  
Figure 12B Turn-On Rise Time vs. Supply Voltage  
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150  
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14  
16  
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o
Temperature ( C)  
VBIAS Supply Voltage (V)  
Figure 13A Turn-Off Fall Time vs. Temperature  
Figure 13B Turn-Off Fall Time vs. Voltage  
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Max.  
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Min.  
Min.  
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Temperature ( C)  
Vcc Supply Voltage (V)  
Figure 14B Start-Up Blanking Time  
vs Voltage  
Figure 14A Start-Up Blanking Time vs. Temperature  
8
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