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IR21141SS

更新时间： 2024-02-16 20:02:30

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英飞凌 - INFINEON		驱动器 MOSFET驱动器栅极驱动程序和接口接口集成电路光电二极管栅极驱动
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HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC

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IR21141SS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SSOP
包装说明：	SSOP, SSOP24,.3	针数：	24
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.82
内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE	接口集成电路类型：	HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G24	JESD-609代码：	e3
长度：	8.2 mm	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	24
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
输出电流流向：	SOURCE AND SINK	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SSOP	封装等效代码：	SSOP24,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	15 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2 mm
子类别：	MOSFET Drivers	最大供电电压：	20 V
最小供电电压：	11.5 V	标称供电电压：	15 V
表面贴装：	YES	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	断开时间：	0.66 µs
接通时间：	0.66 µs	宽度：	5.3 mm
Base Number Matches：	1

IR21141SS 数据手册

IR21141/IR22141SSPbF

Static Electrical Characteristics

V_CC= 15 V, V_SS= COM = 0 V, V_S= 600 V or 1200 V and T_A= 25 °C unless otherwise specified.

Pins: V_CC, V_SS, V_B, V_S(refer to Fig. 1)

Symbol

Definition

Min Typ Max Units

Test Conditions

V_CCUV+

V_CCUV-

V_CCUVH

V_BSUV+

V_BSUV-

V_BSUVH

V_CCsupply undervoltage positive going threshold

V_CCsupply undervoltage negative going threshold

V_CCsupply undervoltage lockout hysteresis

9.3 10.2 11.4

8.7

—

9.3 10.3

0.9

—

(V_B-V_S) supply undervoltage positive going threshold

(V_B-V_S) supply undervoltage negative going threshold

(V_B-V_S) supply undervoltage lockout hysteresis

9.3 10.2 11.4

V_S= 0 V, V_S= 600 V

or 1200 V

8.7

—

9.3 10.3

0.9

—

V_B= V_S= 600 V or

1200 V

I_LK

Offset supply leakage current

—

µA

I_QBS

I_QCC

Quiescent V_BSsupply current

Quiescent V_CCsupply current

—

400 800

0.7 2.5

V_IN= 0 V or 3.3 V

no load

Pins: HIN, LIN, FLTCLR, FAULT/SD, SY_FLT (refer to Fig. 2, 3)

Symbol

Definition

Min

Typ

Max Units

Test Conditions

V_IH

V_IL

Logic "1" input voltage

Logic "0" input voltage

Logic input hysteresis

2.0

—

_CC= V_CCUV-

to 20 V

0.8

—

V_IHSS

0.2

—

0.4

330

Logic “1” input bias current (HIN, LIN, FLTCLR)

Logic “0” input bias current (FAULT/SD, SY_FLT)

Logic “0” input bias current

—

I_IN+

V_IN= 3.3 V

V_IN= 0 V

—

µA

-1

I_IN-

Logic “1” input bias current (FAULT/SD, SY_FLT)

-1

—

R_ON,FLT

R_ON,SY

FAULT/SD open drain resistance

SY_FLT open drain resistance

—

Ω

PW≤ 7 µs

Pins: DSL, DSH (refer to Fig. 4)

The active bias is present only the IR21141and IR22141. V_DESAT, I_DSand I_DSBparameters are referenced to COM and V_S

respectively for DSL and DSH.

Symbol

V_DESAT+

V_DESAT-

V_DSTH

Definition

Min Typ Max Units

Test Conditions

High desat input threshold voltage

Low desat input threshold voltage

Desat input voltage hysteresis

High DSH or DSL input bias current

Low DSH or DSL input bias current

7.2 8.0 8.8

See Figs. 4,16

6.3 7.0 7.7

—

1.0

—

I_DS+

V_DESAT= V_CCor V_BS

V_DESAT= 0 V

µA

I_DS-

— -160

-20

DSH or DSL input bias current

(IR21141 and IR22141 only)

I_DSB

—

V_DESAT= (V_CCor V_BS) – 2 V

www.irf.com

1 234 5 6 7...34

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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