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IR2117PBF

更新时间： 2024-11-17 21:55:43
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英飞凌 - INFINEON 驱动器接口集成电路光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
18页 154K
描述
SINGLE CHANNEL DRIVER

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IR2117PBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, MS-001AB, DIP-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：1.12
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：670073Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Dual-In-Line Packages
Samacsys Footprint Name：8-Lead PDIPSamacsys Released Date：2018-03-21 10:20:13
Is Samacsys：N高边驱动器：YES
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVERJESD-30 代码：R-PDIP-T8
JESD-609代码：e3长度：9.88 mm
湿度敏感等级：2功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C标称输出峰值电流：0.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：250
电源：15 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.33 mm子类别：MOSFET Drivers
最大供电电压：20 V最小供电电压：10 V
标称供电电压：15 V电源电压1-最大：620 V
电源电压1-分钟：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30断开时间：0.18 µs
接通时间：0.2 µs宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

IR2117PBF 数据手册

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Data Sheet No. PD60146 Rev N  
IR2117(S)/IR2118(S)&(PbF)  
SINGLE CHANNEL DRIVER  
Features  
Product Summary  
Floating channel designed for bootstrap operation  
•
V
600V max.  
200 mA / 420 mA  
10 - 20V  
OFFSET  
Fully operational to +600V  
Tolerant to negative transient voltage  
dV/dt immune  
I +/-  
O
Gate drive supply range from 10 to 20V  
Undervoltage lockout  
CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down  
•
•
V
OUT  
•
• Output in phase with input (IR2117) or out of  
t
(typ.)  
125 & 105 ns  
on/off  
phase with input (IR2118)  
Also available LEAD-FREE  
•
Packages  
Description  
The IR2117/IR2118(S) is a high voltage, high speed  
power MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and  
latch immune CMOS technologies enable ruggedized  
monolithic construction. The logic input is compatible  
with standard CMOS outputs. The output driver fea-  
tures a high pulse current buffer stage designed for  
minimum cross-conduction. The floating channel can  
be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT  
in the high or low side configuration which operates up  
to 600 volts.  
8-Lead PDIP  
IR2117/IR2118  
8-Lead SOIC  
IR2117S/IR2118S  
Typical Connection  
up to 600V  
VCC  
IN  
VCC  
IN  
VB  
HO  
VS  
TO  
LOAD  
COM  
IR2117  
up to 600V  
VCC  
IN  
VCC  
IN  
VB  
HO  
TO  
LOAD  
COM  
VS  
IR2118  
(Refer to Lead Assignments for correct pin configuration).  
This/These diagram(s) show electrical connections only.  
Please refer to our Application Notes and DesignTips for  
proper circuit board layout.  
www.irf.com  
1
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