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Datasheet > 驱动程序和接口 > MOSFET 驱动器> IR2113E6PBF
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IR2113E6PBF

更新时间： 2024-02-21 13:56:22
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 驱动器接口集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 128K
描述
Half Bridge Based MOSFET Driver, 2A, CMOS, CQCC16, LCC-18

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IR2113E6PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：LCC
包装说明：QCCN,针数：18
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.82
高边驱动器：YES接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：R-CQCC-N16长度：8.955 mm
功能数量：1端子数量：16
标称输出峰值电流：2 A封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：QCCN封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified筛选级别：MIL-STD-883 Class B
座面最大高度：3.22 mm最大供电电压：20 V
最小供电电压：5 V标称供电电压：15 V
电源电压1-最大：420 V电源电压1-分钟：6 V
电源电压1-Nom：15 V表面贴装：YES
技术：CMOS端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：40断开时间：220 µs
接通时间：260 µs宽度：7.305 mm

IR2113E6PBF 数据手册

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IR2113E6  
Recommended Operating Conditions  
The Input/Output logic timing diagram is shown in Figure 1. For proper operation the device should be used within the  
recommended conditions. The V and V  
ratings at other bias conditions are shown in Figures 36 and 37.  
offset ratings are tested with all supplies biased at 15V differential.Typical  
S
SS  
Symbol  
Parameter  
Min.  
+ 10  
Max.  
+ 20  
Units  
V
V
High Side Floating Supply Absolute Voltage  
High Side Floating Supply Offset Voltage  
High Side Output Voltage  
V
V
B
S
S
S
-4  
600  
V
V
V
V
B
20  
HO  
S
V
Low Side Fixed Supply Voltage  
Low Side Output Voltage  
10  
CC  
V
0
V
LO  
CC  
+ 20  
V
Logic Supply Voltage  
V
+ 5  
SS  
-5  
V
SS  
DD  
V
SS  
Logic Supply Offset Voltage  
5
V
IN  
Logic Input Voltage (HIN, LIN & SD)  
V
V
DD  
SS  
Dynamic Electrical Characteristics  
V
(V , V , V ) = 15V, C = 1000 pF, T = 25°C and V = COM unless otherwise specified.  
BIAS CC BS DD  
L A SS  
The dynamic electrical characteristics are measured using the test circuit shown in Figure 3.  
Tj = -55 to  
125°C  
Tj = 25°C  
Parameter  
Min Typ. Max. Min. Max Units  
Test Conditions  
t
on  
Turn-On Propagation Delay  
—
120 150  
—
260  
V
S
= 0V  
t
t
t
t
Turn-Off Propagation Delay  
Shutdown Propagation Delay  
Turn-On Rise Time  
—
—
—
—
—
94 125  
110 140  
—
—
—
—
—
220  
235 ns  
V
V
= 600V  
= 600V  
off  
sd  
r
S
S
25  
17  
—
35  
25  
10  
50  
40  
—
C = 1000pf  
L
C = 1000pf  
L
Ht -Lt Ht -Lt  
on on / off off  
Turn-Off Fall Time  
f
Mt  
Delay Matching, HS & LS Turn-On/Off  
Typical Connection  
up to 00V  
6
HO  
VB  
VDD  
HIN  
SD  
VDD  
HIN  
SD  
VS  
TO  
LOAD  
LIN  
VSS  
VCC  
COM  
LO  
LIN  
VSS  
VCC  
2
www.irf.com  
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