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IR2113

更新时间: 2024-01-30 19:28:19
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英飞凌 - INFINEON 驱动器
页数 文件大小 规格书
14页 402K
描述
HIGH AND LOW SIDE DRIVER

IR2113 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOIC
包装说明:MS-013AA, SOIC-16针数:16
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01风险等级:3.11
高边驱动器:YES接口集成电路类型:HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:R-PDSO-G16JESD-609代码:e3
长度:10.3 mm湿度敏感等级:1
功能数量:1端子数量:16
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
标称输出峰值电流:2.5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP16,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260电源:15 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.65 mm
子类别:MOSFET Drivers最大供电电压:20 V
最小供电电压:3.3 V标称供电电压:15 V
电源电压1-最大:620 V电源电压1-分钟:6 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
断开时间:0.125 µs接通时间:0.15 µs
宽度:7.5 mmBase Number Matches:1

IR2113 数据手册

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IR2113  
320V  
140V  
320V  
140V  
150  
125  
100  
75  
150  
125  
100  
75  
10V  
10V  
50  
50  
25  
25  
0
0
1E+2  
1E+3  
1E+4  
1E+5  
1E+6  
1E+2  
1E+3  
1E+4  
1E+5  
1E+6  
Frequency (Hz)  
Frequency (Hz)  
Figure 32. IR2113S TJ vs. Frequency (IRFBC20)  
Figure 33. IR2113S TJ vs. Frequency (IRFBC30)  
RGATE = 33, VCC = 15V  
RGATE = 22, VCC = 15V  
320V 140V  
320V 140V 10V  
150  
150  
125  
100  
75  
125  
10V  
100  
75  
50  
25  
0
50  
25  
0
1E+2  
1E+3  
1E+4  
1E+5  
1E+6  
1E+2  
1E+3  
1E+4  
1E+5  
1E+6  
Frequency (Hz)  
Frequency (Hz)  
Figure 34. IR2113S TJ vs. Frequency (IRFBC40)  
Figure 35. IR2113S TJ vs. Frequency (IRFPE50)  
RGATE = 15, VCC = 15V  
RGATE = 10, VCC = 15V  
0.0  
20.0  
16.0  
12.0  
-3.0  
Typ.  
-6.0  
-9.0  
8.0  
Typ.  
-12.0  
-15.0  
4.0  
0.0  
10  
12  
14  
16  
18  
20  
10  
12  
14  
16  
18  
20  
V
BS Floating Supply Voltage (V)  
VCC Fixed Supply Voltage (V)  
Figure 36. Maximum VS Negative Offset vs.  
VBS Supply Voltage  
Figure 37. Maximum VSS Positive Offset vs.  
VCC Supply Voltage  
B-74 CONTROL INTEGRATED CIRCUIT DESIGNERS’ MANUAL  
To Order  

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