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IQE006NE2LM5SC

更新时间： 2023-12-06 20:09:23

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英飞凌 - INFINEON		PC
页数	文件大小	规格书
13页	1638K
描述
英飞凌推出了创新型源极底置技术系列扩展的新产品， PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOSTM?5 25 V：IQE006NE2LM5SC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片，该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位（而不是漏极电位）可以通过导热垫与 PCB 连接。因此，它具有几点优势，如热能力增强，先进的功率密度，或具有改善板上布局的可能性。

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IQE006NE2LM5SC 数据手册

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ25ꢀV

IQE006NE2LM5SC

Diagramꢀ5:ꢀTyp.ꢀoutputꢀcharacteristics

Diagramꢀ6:ꢀTyp.ꢀdrain-sourceꢀonꢀresistance

1250

1.6

5 V

2.8 V

10 V

4 V

1.4

4.5 V

3.5 V

1000

750

500

250

3 V

1.2

3.5 V

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

4 V

4.5 V

10 V

5 V

3 V

2.8 V

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

100

200

300

400

500

600

700

V_DSꢀ[V]

I_Dꢀ[A]

I_D=f(V_DS),ꢀT_j=25ꢀ°C;ꢀparameter:ꢀV_GS

R_DS(on)=f(I_D),ꢀT_j=25ꢀ°C;ꢀparameter:ꢀV_GS

Diagramꢀ7:ꢀTyp.ꢀtransferꢀcharacteristics

Diagramꢀ8:ꢀTyp.ꢀdrain-sourceꢀonꢀresistance

1250

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

1000

750

500

250

25 °C

150 °C

25 °C

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

V_GSꢀ[V]

I_D=f(V_GS),ꢀ|V_DS|>2|I_D|R_DS(on)max;ꢀparameter:ꢀT_j

R_DS(on)=f(V_GS),ꢀI_D=20ꢀA;ꢀparameter:ꢀT_j

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-04-28

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