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IQE065N10NM5CGSC

更新时间： 2024-11-06 14:56:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		PC
页数	文件大小	规格书
13页	1588K
描述
英飞凌推出了创新型源极底置技术系列扩展的新产品， PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOSTM?5 100 V：IQE065N10NM5CGSC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片，该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位（而不是漏极电位）可以通过导热垫与 PCB 连接。因此，它具有几点优势，如热能力增强，先进的功率密度，或具有改善板上布局的可能性。

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IQE065N10NM5CGSC 数据手册

IQE065N10NM5CGSC

MOSFET

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV

PG-WHTFN-9

Features

•ꢀOptimizedꢀforꢀhighꢀperformanceꢀSMPS,ꢀe.g.ꢀsyncronousꢀrectification

•ꢀN-channel

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Pin 1

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Drain

Pin 5-8

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Gate

Pin 9

Parameter

Value

100

6.5

Unit

V_DS

Source

Pin 1-4

R_DS(on),max

I_D

mΩ

*1: Internal body diode

Q_oss

Q_G(0V...10V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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IQE065N10NM5CGSC

PG-WHTFN-9

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-05-02

12 3 4 5 6 7...13

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