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IQE065N10NM5CGSC

更新时间: 2024-11-21 14:56:07
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英飞凌 - INFINEON PC
页数 文件大小 规格书
13页 1588K
描述
英飞凌推出了创新型 源极底置 技术系列扩展的新产品, PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOSTM?5 100 V:IQE065N10NM5CGSC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片,该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位(而不是漏极电位)可以通过导热垫与 PCB 连接。因此,它具有几点优势,如热能力增强,先进的功率密度,或具有改善板上布局的可能性。

IQE065N10NM5CGSC 数据手册

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IQE065N10NM5CGSC  
MOSFET  
OptiMOSTMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV  
PG-WHTFN-9  
5
6
Features  
7
8
•ꢀOptimizedꢀforꢀhighꢀperformanceꢀSMPS,ꢀe.g.ꢀsyncronousꢀrectification  
•ꢀN-channel  
•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested  
•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance  
•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21  
9
Pin 1  
4
2
3
3
2
4
1
Productꢀvalidation  
FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications  
Drain  
Pin 5-8  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
*1  
Gate  
Pin 9  
Parameter  
Value  
100  
6.5  
85  
Unit  
VDS  
V
Source  
Pin 1-4  
RDS(on),max  
ID  
m  
A
*1: Internal body diode  
Qoss  
40  
nC  
nC  
QG(0V...10V)  
34  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IQE065N10NM5CGSC  
PG-WHTFN-9  
S
-
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-05-02  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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