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IQE006NE2LM5SC

更新时间： 2023-12-06 20:09:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		PC
页数	文件大小	规格书
13页	1638K
描述
英飞凌推出了创新型源极底置技术系列扩展的新产品， PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOSTM?5 25 V：IQE006NE2LM5SC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片，该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位（而不是漏极电位）可以通过导热垫与 PCB 连接。因此，它具有几点优势，如热能力增强，先进的功率密度，或具有改善板上布局的可能性。

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IQE006NE2LM5SC 数据手册

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ25ꢀV

IQE006NE2LM5SC

4ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristicsꢀdiagrams

Diagramꢀ1:ꢀPowerꢀdissipation

Diagramꢀ2:ꢀDrainꢀcurrent

100

320

280

240

200

160

120

100

125

150

175

100

125

150

175

T_Cꢀ[°C]

P_tot=f(T_C)

I_D=f(T_C);ꢀV_GS≥10ꢀV

Diagramꢀ3:ꢀSafeꢀoperatingꢀarea

Diagramꢀ4:ꢀMax.ꢀtransientꢀthermalꢀimpedance

10⁴

10²

single pulse

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1 µs

10³

10²

10¹

10⁰

10^-1

10^-2

10¹

10 µs

100 µs

10⁰

10^-1

10^-2

10^-3

1 ms

10 ms

10^-1

10⁰

10¹

10²

10^-6

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

V_DSꢀ[V]

t_pꢀ[s]

I_D=f(V_DS);ꢀT_C=25ꢀ°C;ꢀD=0;ꢀparameter:ꢀt_p

Z_thJC=f(t_p);ꢀparameter:ꢀD=t_p/T

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-04-28

1...3 4 567 8 9...13

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