IPSH4N03LAG

更新时间： 2024-02-18 23:18:06

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR

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IPSH4N03LAG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	90 A
最大漏极电流 (ID)：	90 A	最大漏源导通电阻：	0.0044 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	94 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	360 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPSH4N03LAG 数据手册

IPDH4N03LA G

2 Drain current

IPSH4N03LA G

1 Power dissipation

_tot=f(T _C)

120

100

I _D=f(T _C); V _GS≥10 V

100

150

200

100

150

200

_C[°C]

3 Safe operating area

I _D=f(V _DS); T _C=25 °C; D =0

parameter: t _p

4 Max. transient thermal impedance

_thJC=f(t _p)

parameter: D =t _p/T

1000

limited by on-state

resistance

1 µs

10 µs

100 µs

100

0.5

0.2

1 ms

0.1

0.05

0.1

0.02

0.01

10 ms

single pulse

0.01

10^-6

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

0.1

100

_DS[V]

_p[s]

Rev. 0.92 - target data sheet

page 5

2004-10-27

1 2 3 456 7 8 9

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