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IPSH5N03LAG

更新时间： 2024-01-02 10:21:59

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描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPSH5N03LAG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	225 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.0054 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	83 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPSH5N03LAG 数据手册

IPDH5N03LA G IPSH5N03LA G

OptiMOS^®2 Power-Transistor

Product Summary

V _DS

Features

5.2

• Ideal for high-frequency dc/dc converters

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

I _D

• N-channel, logic level

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Superior thermal resistance

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

Type

IPDH5N03LA

IPSH5N03LA

Package

Marking

P-TO252-3-11

H5N03LA

P-TO251-3-11

H5N03LA

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C²⁾

I _D

Continuous drain current

T _C=100 °C

T _C=25 °C³⁾

I _D,pulse

Pulsed drain current

350

225

E _AS

I _D=45 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=50 A, V _DS=20 V,

di /dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

Gate source voltage⁴⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

Rev. 1.3

page 1

2006-05-11

12 3 4 5 6 7...10

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