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IPSH5N03LAG

更新时间： 2024-02-07 02:14:19

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10页	325K
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPSH5N03LAG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	225 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.0054 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	83 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPSH5N03LAG 数据手册

IPDH5N03LA G IPSH5N03LA G

5 Typ. output characteristics

I _D=f(V _DS); T _j=25 °C

6 Typ. drain-source on resistance

_DS(on)=f(I _D); T _j=25 °C

parameter: V _GS

100

3 V

4.5 V

10 V

4.1 V

3.8 V

3.5 V

3.2 V

4.5 V

10 V

3.5 V

3.2 V

3 V

2.8 V

100

_DS[V]

_D[A]

7 Typ. transfer characteristics

I _D=f(V _GS); |V _DS|>2|I _D|R _DS(on)max

parameter: T _j

8 Typ. forward transconductance

g _fs=f(I _D); T _j=25 °C

100

175 °C

25 °C

_D[A]

_GS[V]

Rev. 1.3

page 5

2006-05-11

1 2 3 456 7 8...10

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