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IPSH4N03LAG

更新时间: 2024-02-03 15:42:39
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 305K
描述
OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR

IPSH4N03LAG 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-251包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.82
Is Samacsys:N其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas):150 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:25 V最大漏极电流 (Abs) (ID):90 A
最大漏极电流 (ID):90 A最大漏源导通电阻:0.0044 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-251
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):94 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):360 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPSH4N03LAG 数据手册

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IPDH4N03LA G  
Values  
IPSH4N03LA G  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
min.  
typ.  
max.  
Dynamic characteristics  
Input capacitance  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on delay time  
Rise time  
C iss  
-
-
-
-
-
-
-
2400  
920  
110  
9
3200 pF  
1200  
V
GS=0 V, V DS=15 V,  
C oss  
Crss  
t d(on)  
t r  
f =1 MHz  
160  
14  
11  
44  
7
ns  
7
V
DD=15 V, V GS=10 V,  
I D=25 A, R G=2.7 Ω  
t d(off)  
t f  
Turn-off delay time  
Fall time  
29  
4.6  
Gate Charge Characteristics6)  
Gate to source charge  
Gate charge at threshold  
Gate to drain charge  
Switching charge  
Q gs  
-
-
-
-
-
-
8
11  
5.1  
8
nC  
Q g(th)  
Q gd  
3.9  
5.6  
10  
V
V
DD=15 V, I D=45 A,  
GS=0 to 5 V  
Q sw  
14  
26  
-
Q g  
Gate charge total  
19  
V plateau  
Gate plateau voltage  
3.4  
V
V
V
DS=0.1 V,  
Q g(sync)  
Q oss  
Gate charge total, sync. FET  
Output charge  
-
-
17  
20  
23  
27  
nC  
GS=0 to 5 V  
V
DD=15 V, V GS=0 V  
Reverse Diode  
I S  
Diode continous forward current  
Diode pulse current  
-
-
-
-
78  
A
T C=25 °C  
I S,pulse  
360  
V
GS=0 V, I F=78 A,  
V SD  
Q rr  
Diode forward voltage  
-
-
0.93  
-
1.2  
15  
V
T j=25 °C  
V R=15 V, I F=I S,  
di F/dt =400 A/µs  
Reverse recovery charge  
nC  
6) See figure 16 for gate charge parameter definition  
Rev. 0.92 - target data sheet  
page 3  
2004-10-27  

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