IPSH4N03LAG

更新时间： 2024-01-28 19:57:27

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR

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IPSH4N03LAG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	90 A
最大漏极电流 (ID)：	90 A	最大漏源导通电阻：	0.0044 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	94 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	360 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPSH4N03LAG 数据手册

IPDH4N03LA G

Values

IPSH4N03LA G

Parameter

Symbol Conditions

Unit

min.

typ.

max.

Thermal characteristics

R _thJC

Thermal resistance, junction - case

SMD version, device on PCB

1.6

K/W

R _thJA

minimal footprint

6 cm²cooling area⁵⁾

Electrical characteristics, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Static characteristics

V _(BR)DSS

V _GS(th)

_GS=0 V, I _D=1 mA

_DS=V _GS, I _D=40 µA

Drain-source breakdown voltage

Gate threshold voltage

1.2

1.6

_DS=25 V, V _GS=0 V,

I _DSS

Zero gate voltage drain current

0.1

µA

T _j=25 °C

_DS=25 V, V _GS=0 V,

100

T _j=125 °C

I _GSS

_GS=20 V, V _DS=0 V

_GS=4.5 V, I _D=50 A

Gate-source leakage current

100 nA

R _DS(on)

Drain-source on-state resistance

6.1

7.6

7.4

4.4

4.2

mΩ

_GS=4.5 V, I _D=50 A,

5.9

3.7

3.5

1.3

SMD version

_GS=10 V, I _D=60 A

_GS=10 V, I _D=60 A,

SMD version

R _G

g _fs

Gate resistance

Ω

|V _DS|>2|I _D|R _DS(on)max

I _D=60 A

Transconductance

¹⁾J-STD20 and JESD22

¹⁾Current is limited by bondwire; with anR _thJC=1.6 K/W the chip is able to carry 109 A.

³⁾See figure 3

⁴⁾T _j,max=150 °C and duty cycle D <0.25 for V _GS<-5 V

⁵⁾Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm (one layer, 70 µm thick) copper area for drain

connection. PCB is vertical in still air.

Rev. 0.92 - target data sheet

page 2

2004-10-27

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