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IPLU250N04S4-1R7_15

更新时间： 2022-02-26 13:43:05

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英飞凌 - INFINEON		/
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IPLU250N04S4-1R7

9 Typ. gate threshold voltage

V _GS(th)= f(T _j); V _GS= V _DS

parameter: I _D

10 Typ. capacitances

C = f(V _DS); V _GS= 0 V; f = 1 MHz

10⁴

3.5

800 µA

10³

10²

10¹

80 µA

2.5

1.5

-60

-20

100

140

180

V_DS[V]

T_j[°C]

11 Typical forward diode characteristicis

12 Avalanche characteristics

I _AS= f(t _AV

IF = f(V_SD)

)

parameter: T _j

parameter: T_j(start)

10⁴

10³

10²

1000

100

25 °C

100 °C

150 °C

25 °C

175 °C

10¹

10⁰

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

100

1000

V_SD[V]

t_AV[µs]

Rev. 1.0

page 6

2014-12-08

1...3 4 567 8 9

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