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IPL60R255P6AUMA1

更新时间： 2024-11-11 20:05:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 1409K
描述
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.255ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, VSON-4

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IPL60R255P6AUMA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, S-PSSO-N4
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：1 week
风险等级：5.78雪崩能效等级（Eas）：352 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏源导通电阻：0.255 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PSSO-N4
湿度敏感等级：2A元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：43 A
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPL60R255P6AUMA1 数据手册

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IPL60R255P6  
MOSFET  
ThinPAKꢀ8x8  
600VꢀCoolMOSªꢀP6ꢀPowerꢀTransistor  
CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower  
MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand  
pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀCoolMOS™ꢀP6ꢀseriesꢀcombinesꢀthe  
experienceꢀofꢀtheꢀleadingꢀSJꢀMOSFETꢀsupplierꢀwithꢀhighꢀclassꢀinnovation.  
TheꢀofferedꢀdevicesꢀprovideꢀallꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSJꢀMOSFET  
whileꢀnotꢀsacrificingꢀeaseꢀofꢀuse.ꢀExtremelyꢀlowꢀswitchingꢀandꢀconduction  
lossesꢀmakeꢀswitchingꢀapplicationsꢀevenꢀmoreꢀefficient,ꢀmoreꢀcompact,  
lighterꢀandꢀcooler.  
Features  
•ꢀIncreasedꢀMOSFETꢀdv/dtꢀruggedness  
•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRdson*QgꢀandꢀEoss  
•ꢀVeryꢀhighꢀcommutationꢀruggedness  
Drain  
Pin 5  
•ꢀEasyꢀtoꢀuse/drive  
•ꢀPb-freeꢀplating,ꢀHalogenꢀfreeꢀmoldꢀcompound  
•ꢀQualifiedꢀforꢀindustrialꢀgradeꢀapplicationsꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀ(J-STD20  
andꢀJESD22)  
Gate  
Pin 1  
Driver  
Source  
Pin 2  
Power  
Source  
Pin 3,4  
Potentialꢀapplications  
PFCꢀstages,ꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀstages  
forꢀe.g.ꢀPCꢀSilverbox,ꢀAdapter,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTV,ꢀLighting,ꢀServer,ꢀTelecom  
andꢀUPS.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Value  
650  
255  
31  
Unit  
V
mΩ  
nC  
A
Qg,typ  
ID,pulse  
43  
Eoss @ 400V  
Body diode diF/dt  
4.2  
µJ  
500  
A/µs  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPL60R255P6  
PG-VSON-4  
6R255P6  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2017-08-30  
1234567...14

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