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IPL65R070C7AUMA1

更新时间： 2024-01-12 13:08:52

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	1369K
描述
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 650V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, VSON-4

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IPL65R070C7AUMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PSSO-N4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	1.71
雪崩能效等级（Eas）：	171 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	650 V
最大漏极电流 (ID)：	28 A	最大漏源导通电阻：	0.07 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-PSSO-N4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2A
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	145 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPL65R070C7AUMA1 数据手册

IPL65R070C7

MOSFET

ThinPAKꢀ8x8

650VꢀCoolMOSªꢀC7ꢀPowerꢀTransistor

CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.

CoolMOS™ꢀC7ꢀseriesꢀcombinesꢀtheꢀexperienceꢀofꢀtheꢀleadingꢀSJ

MOSFETꢀsupplierꢀwithꢀhighꢀclassꢀinnovation.ꢀTheꢀproductꢀportfolio

providesꢀallꢀbenefitsꢀofꢀfastꢀswitchingꢀsuperjunctionꢀMOSFETsꢀoffering

betterꢀefficiency,ꢀreducedꢀgateꢀcharge,ꢀeasyꢀimplementationꢀand

outstandingꢀreliability.

Features

Drain

Pin 5

•ꢀIncreasedꢀMOSFETꢀdv/dtꢀruggedness

•ꢀBetterꢀefficiencyꢀdueꢀtoꢀbestꢀinꢀclassꢀFOMꢀR_DS(on)*E_ossꢀandꢀR_DS(on)*Q_g

•ꢀThinPAKꢀSMDꢀPackageꢀwithꢀveryꢀlowꢀparasiticꢀinductanceꢀtoꢀenableꢀfast

andꢀreliableꢀswitchingꢀwithꢀminimumꢀofꢀsizeꢀtoꢀincreaseꢀpower-density

•ꢀEasyꢀtoꢀuse/driveꢀdueꢀtoꢀdriverꢀsourceꢀpinꢀforꢀbetterꢀcontrolꢀofꢀtheꢀgate.

•ꢀPb-freeꢀplating,ꢀhalogenꢀfreeꢀmoldꢀcompound

Gate

Pin 1

Driver

Source

Pin 2

Power

Source

Pin 3,4

•ꢀQualifiedꢀforꢀindustrialꢀgradeꢀapplicationsꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀ(J-STD20

andꢀJESD22)

Benefits

•ꢀEnablingꢀhigherꢀsystemꢀefficiencyꢀbyꢀlowerꢀswitchingꢀlosses

•ꢀEnablingꢀhigherꢀfrequencyꢀ/ꢀincreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutions

•ꢀSystemꢀcostꢀ/ꢀsizeꢀsavingsꢀdueꢀtoꢀreducedꢀcoolingꢀrequirements

•ꢀHigherꢀsystemꢀreliabilityꢀdueꢀtoꢀlowerꢀoperatingꢀtemperatures

Potentialꢀapplications

PFCꢀstagesꢀandꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀforꢀe.g.ꢀComputing,ꢀServer,

Telecom,ꢀUPSꢀandꢀSolar.

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Value

700

Unit

mΩ

Q_g,typ

I_D,pulse

145

E_oss@ 400V

Body diode di_F/dt

µJ

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPL65R070C7

PG-VSON-4

65C7070

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2017-08-29

12 3 4 5 6 7...14

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与IPL65R070C7AUMA1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IPL65R095CFD7	INFINEON	英飞凌 650 V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPL65R095CF	获取价格
IPL65R099C7	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IPL65R115CFD7	INFINEON	英飞凌 650 V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPL65R115CF	获取价格
IPL65R130C7	INFINEON	650V CoolMOSâ¢ C7 Power Transistor	获取价格
IPL65R130CFD7	INFINEON	英飞凌?650 V CoolMOS??CFD7?超结?MOSFET?IPL65R130CF	获取价格
IPL65R160CFD7	INFINEON	英飞凌?650 V CoolMOS??CFD7?超结?MOSFET?IPL65R160CF	获取价格

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