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IPL60R125P7

更新时间： 2024-01-13 21:12:49
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅开关脉冲晶体管栅极
页数 文件大小 规格书
14页 1316K
描述
600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。

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IPL60R125P7 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PSSO-N4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：1.69雪崩能效等级（Eas）：82 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：27 A
最大漏极电流 (ID)：27 A最大漏源导通电阻：0.125 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PSSO-N4
湿度敏感等级：2A元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：111 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：78 A
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPL60R125P7 数据手册

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600VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀTransistor  
IPL60R125P7  
1ꢀꢀꢀꢀꢀMaximumꢀratings  
atꢀTjꢀ=ꢀ25°C,ꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified  
Tableꢀ2ꢀꢀꢀꢀꢀMaximumꢀratings  
Values  
Typ.  
Parameter  
Symbol  
Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition  
Min.  
Max.  
-
-
-
-
27  
17  
TC=25°C  
A
Continuous drain current1)  
ID  
TC=100°C  
Pulsed drain current2)  
ID,pulse  
EAS  
EAR  
IAS  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
78  
A
TC=25°C  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche energy, repetitive  
Avalanche current, single pulse  
MOSFET dv/dt ruggedness  
Gate source voltage (static)  
Gate source voltage (dynamic)  
Power dissipation  
-
82  
mJ  
mJ  
A
ID=5.0A; VDD=50V; see table 10  
-
0.41  
5.0  
80  
ID=5.0A; VDD=50V; see table 10  
-
-
dv/dt  
VGS  
VGS  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
V/ns VDS=0...400V  
-20  
-30  
-
20  
V
static;  
30  
V
AC (f>1 Hz)  
111  
150  
150  
-
W
°C  
°C  
TC=25°C  
Storage temperature  
-40  
-40  
-
-
-
Operating junction temperature  
Mounting torque  
-
Ncm -  
Continuous diode forward current  
Diode pulse current2)  
IS  
-
27  
A
A
TC=25°C  
IS,pulse  
-
78  
TC=25°C  
VDS=0...400V,ꢀISD<=27A,ꢀTj=25°Cꢀꢀꢀꢀꢀ  
see table 8  
Reverse diode dv/dt3)  
dv/dt  
-
-
50  
V/ns  
VDS=0...400V,ꢀISD<=27A,ꢀTj=25°Cꢀꢀꢀꢀꢀ  
see table 8  
Maximum diode commutation speed  
Insulation withstand voltage  
diF/dt  
-
-
-
-
800  
n.a.  
A/µs  
VISO  
V
Vrms,ꢀTC=25°C,ꢀt=1min  
1) Limited by Tj,max. Maximum Duty Cycle D = 0.50  
2) Pulse width tp limited by Tj,max  
3) Identical low side and high side switch with identical RG  
Final Data Sheet  
3
Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2018-05-15  
1234567...14

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