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IPL60R125P7

更新时间： 2024-01-29 00:19:07

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英飞凌 - INFINEON		栅开关脉冲晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
14页	1316K
描述
600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。

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IPL60R125P7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PSSO-N4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.69	雪崩能效等级（Eas）：	82 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	27 A
最大漏极电流 (ID)：	27 A	最大漏源导通电阻：	0.125 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-PSSO-N4
湿度敏感等级：	2A	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	111 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	78 A
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPL60R125P7 数据手册

600VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀTransistor

IPL60R125P7

4ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristicsꢀdiagrams

Diagramꢀ1:ꢀPowerꢀdissipation

Diagramꢀ2:ꢀSafeꢀoperatingꢀarea

120

10²

1 µs

100

10¹

10⁰

10 µs

100 µs

1 ms

10 ms

10^-1

10^-2

10^-3

10^-4

100

125

150

10⁰

10¹

10²

10³

T_Cꢀ[°C]

V_DSꢀ[V]

P_tot=f(T_C)

I_D=f(V_DS);ꢀT_C=25ꢀ°C;ꢀD=0;ꢀparameter:ꢀt_p

Diagramꢀ3:ꢀSafeꢀoperatingꢀarea

Diagramꢀ4:ꢀMax.ꢀtransientꢀthermalꢀimpedance

10²

10¹

1 µs

10 µs

100 µs

10¹

10⁰

0.5

1 ms

10 ms

0.2

0.1

10^-1

10^-2

10^-3

10^-4

0.05

10^-1

0.02

0.01

single pulse

10^-2

10⁰

10¹

10²

10³

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

V_DSꢀ[V]

t_pꢀ[s]

I_D=f(V_DS);ꢀT_C=80ꢀ°C;ꢀD=0;ꢀparameter:ꢀt_p

Z_thJCꢀ=f(t_P);ꢀparameter:ꢀD=t_p/T

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2018-05-15

1...4 5 678 9 10...14

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