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IPL60R185CFD7AUMA1

更新时间： 2024-11-11 20:11:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 1328K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, VSON-4

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IPL60R185CFD7AUMA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PSSO-N4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.64雪崩能效等级（Eas）：60 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.185 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PSSO-N4湿度敏感等级：2A
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：51 A
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPL60R185CFD7AUMA1 数据手册

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IPL60R185CFD7  
MOSFET  
ThinPAKꢀ8x8  
600VꢀCoolMOSªꢀCFD7ꢀPowerꢀTransistor  
CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower  
MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand  
pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀTheꢀlatestꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀisꢀthe  
successorꢀtoꢀtheꢀCoolMOS™ꢀCFD2ꢀseriesꢀandꢀisꢀanꢀoptimizedꢀplatform  
tailoredꢀtoꢀtargetꢀsoftꢀswitchingꢀapplicationsꢀsuchꢀasꢀphase-shiftꢀfull-bridge  
(ZVS)ꢀandꢀLLC.ꢀResultingꢀfromꢀreducedꢀgateꢀchargeꢀ(Qg),ꢀbest-in-class  
reverseꢀrecoveryꢀchargeꢀ(Qrr)ꢀandꢀimprovedꢀturnꢀoffꢀbehaviorꢀCoolMOS™  
CFD7ꢀoffersꢀhighestꢀefficiencyꢀinꢀresonantꢀtopologies.ꢀAsꢀpartꢀofꢀInfineon’s  
fastꢀbodyꢀdiodeꢀportfolio,ꢀthisꢀnewꢀproductꢀseriesꢀblendsꢀallꢀadvantagesꢀof  
aꢀfastꢀswitchingꢀtechnologyꢀtogetherꢀwithꢀsuperiorꢀhardꢀcommutation  
robustness,ꢀwithoutꢀsacrificingꢀeasyꢀimplementationꢀinꢀtheꢀdesign-in  
process.ꢀTheꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀtechnologyꢀmeetsꢀhighestꢀefficiencyꢀand  
reliabilityꢀstandardsꢀandꢀfurthermoreꢀsupportsꢀhighꢀpowerꢀdensity  
solutions.ꢀAltogether,ꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀmakesꢀresonantꢀswitching  
topologiesꢀmoreꢀefficient,ꢀmoreꢀreliable,ꢀlighterꢀandꢀcooler.  
Drain  
Pin 5  
Gate  
Pin 1  
Driver  
Source  
Pin 2  
Features  
•ꢀUltra-fastꢀbodyꢀdiode  
Power  
Source  
Pin 3,4  
•ꢀLowꢀgateꢀcharge  
•ꢀBest-in-classꢀreverseꢀrecoveryꢀchargeꢀ(Qrr)  
•ꢀImprovedꢀMOSFETꢀreverseꢀdiodeꢀdv/dtꢀandꢀdiF/dtꢀruggedness  
•ꢀLowestꢀFOMꢀRDS(on)*QgꢀandꢀRDS(on)*Eoss  
•ꢀBest-in-classꢀRDS(on)ꢀinꢀSMDꢀandꢀTHDꢀpackages  
Benefits  
•ꢀExcellentꢀhardꢀcommutationꢀruggedness  
•ꢀHighestꢀreliabilityꢀforꢀresonantꢀtopologies  
•ꢀHighestꢀefficiencyꢀwithꢀoutstandingꢀease-of-useꢀ/ꢀperformanceꢀtradeoff  
•ꢀEnablingꢀincreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutions  
Potentialꢀapplications  
SuiteableꢀforꢀSoftꢀSwitchingꢀtopologies  
Optimizedꢀforꢀphase-shiftꢀfull-bridgeꢀ(ZVS),ꢀLLCꢀApplicationsꢀ–ꢀServer,  
Telecom,ꢀEVꢀCharging  
ProductꢀValidation:ꢀQualifiedꢀforꢀindustrialꢀapplicationsꢀaccordingꢀtoꢀthe  
relevantꢀtestsꢀofꢀJEDEC47/20/22  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Value  
650  
185  
28  
Unit  
V
mΩ  
nC  
A
Qg,typ  
ID,pulse  
51  
Eoss @ 400V  
Body diode diF/dt  
3.2  
µJ  
1300  
A/µs  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPL60R185CFD7  
PG-VSON-4  
60R185F7  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2018-01-18  
1234567...14

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