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IPL60R185C7

更新时间： 2024-02-04 13:58:28

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	1239K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IPL60R185C7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PSSO-N4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
雪崩能效等级（Eas）：	53 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.185 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-PSSO-N4
湿度敏感等级：	2A	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	45 A
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPL60R185C7 数据手册

IPL60R185C7

MOSFET

ThinPAKꢀ8x8

600VꢀCoolMOSªꢀC7ꢀPowerꢀTransistor

CoolMOS™ꢀC7ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.

600VꢀCoolMOS™ꢀC7ꢀseriesꢀcombinesꢀtheꢀexperienceꢀofꢀtheꢀleadingꢀSJ

MOSFETꢀsupplierꢀwithꢀhighꢀclassꢀinnovation.

Theꢀ600VꢀC7ꢀisꢀtheꢀfirstꢀtechnologyꢀeverꢀwithꢀR_DS(on)*Aꢀbelowꢀ1Ohm*mm².

Features

•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀ(PFCꢀandꢀhighꢀperformanceꢀLLC)

•ꢀIncreasedꢀMOSFETꢀdv/dtꢀruggednessꢀtoꢀ120V/ns

•ꢀIncreasedꢀefficiencyꢀdueꢀtoꢀbestꢀinꢀclassꢀFOMꢀR_DS(on)*E_ossꢀandꢀR_DS(on)*Q_g

•ꢀBestꢀinꢀclassꢀR_DS(on)ꢀ/package

Drain

Pin 5

•ꢀSMDꢀpackageꢀwithꢀveryꢀlowꢀparasiticꢀinductanceꢀforꢀeasyꢀdeviceꢀcontrol

•ꢀQualifiedꢀforꢀindustrialꢀgradeꢀapplicationsꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀ(J-STD20

andꢀJESD22)

Gate

Pin 1

Driver

Source

Pin 2

Power

Source

Pin 3,4

•ꢀ4pinꢀkelvinꢀsourceꢀconcept

Benefits

•ꢀIncreasedꢀeconomiesꢀofꢀscaleꢀbyꢀuseꢀinꢀPFCꢀandꢀPWMꢀtopologiesꢀinꢀthe

application

•ꢀHigherꢀdv/dtꢀlimitꢀenablesꢀfasterꢀswitchingꢀleadingꢀtoꢀhigherꢀefficiency

•ꢀEnablingꢀhigherꢀsystemꢀefficiencyꢀbyꢀlowerꢀswitchingꢀlosses

•ꢀIncreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutionsꢀdueꢀtoꢀsmallerꢀpackages

•ꢀOptimizedꢀPCBꢀassemblyꢀandꢀlayoutꢀsolutions

•ꢀSuitableꢀforꢀapplicationsꢀsuchꢀasꢀserver,ꢀtelecomꢀandꢀsolar

•ꢀUpꢀtoꢀ0.5%ꢀbetterꢀfullꢀloadꢀefficiencyꢀ@100kHzꢀcomparedꢀtoꢀconventional

3pinꢀpackage

Applications

PFCꢀstagesꢀandꢀPWMꢀstagesꢀ(TTF,ꢀLLC)ꢀforꢀhighꢀpower/performance

SMPSꢀe.g.ꢀComputing,ꢀServer,ꢀTelecom,ꢀUPSꢀandꢀSolar.

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Q_g.typ

Value

650

185

Unit

mΩ

I_D,pulse

I_D,continuous@ T_j<150°C 21

E_oss@400V

2.7

µJ

Body diode di/dt

400

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPL60R185C7

PG-VSON-4

60C7185

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2015-12-11

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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IPL60R199CPAUMA1	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide	获取价格
IPL60R1K5C6S	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se	获取价格

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