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IPL60R125C7

更新时间： 2025-08-27 11:15:39

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英飞凌 - INFINEON		开关功率因数校正
页数	文件大小	规格书
14页	1409K
描述
600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！

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IPL60R125C7 数据手册

IPL60R125C7

MOSFET

ThinPAKꢀ8x8

600VꢀCoolMOSªꢀC7ꢀPowerꢀTransistor

CoolMOS™ꢀC7ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.

600VꢀCoolMOS™ꢀC7ꢀseriesꢀcombinesꢀtheꢀexperienceꢀofꢀtheꢀleadingꢀSJ

MOSFETꢀsupplierꢀwithꢀhighꢀclassꢀinnovation.

Theꢀ600VꢀC7ꢀisꢀtheꢀfirstꢀtechnologyꢀeverꢀwithꢀR_DS(on)*Aꢀbelowꢀ1Ohm*mm².

Features

•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀ(PFCꢀandꢀhighꢀperformanceꢀLLC)

•ꢀIncreasedꢀMOSFETꢀdv/dtꢀruggednessꢀtoꢀ120V/ns

•ꢀIncreasedꢀefficiencyꢀdueꢀtoꢀbestꢀinꢀclassꢀFOMꢀR_DS(on)*E_ossꢀandꢀR_DS(on)*Q_g

•ꢀBestꢀinꢀclassꢀR_DS(on)ꢀ/package

Drain

Pin 5

•ꢀSMDꢀpackageꢀwithꢀveryꢀlowꢀparasiticꢀinductanceꢀforꢀeasyꢀdeviceꢀcontrol

•ꢀQualifiedꢀforꢀindustrialꢀgradeꢀapplicationsꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀ(J-STD20

andꢀJESD22)

Gate

Pin 1

Driver

Source

Pin 2

Power

Source

Pin 3,4

•ꢀ4pinꢀkelvinꢀsourceꢀconcept

Benefits

•ꢀIncreasedꢀeconomiesꢀofꢀscaleꢀbyꢀuseꢀinꢀPFCꢀandꢀPWMꢀtopologiesꢀinꢀthe

application

•ꢀHigherꢀdv/dtꢀlimitꢀenablesꢀfasterꢀswitchingꢀleadingꢀtoꢀhigherꢀefficiency

•ꢀEnablingꢀhigherꢀsystemꢀefficiencyꢀbyꢀlowerꢀswitchingꢀlosses

•ꢀIncreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutionsꢀdueꢀtoꢀsmallerꢀpackages

•ꢀOptimizedꢀPCBꢀassemblyꢀandꢀlayoutꢀsolutions

•ꢀSuitableꢀforꢀapplicationsꢀsuchꢀasꢀserver,ꢀtelecomꢀandꢀsolar

•ꢀUpꢀtoꢀ0.5%ꢀbetterꢀfullꢀloadꢀefficiencyꢀ@100kHzꢀcomparedꢀtoꢀconventional

3pinꢀpackage

Potentialꢀapplications

PFCꢀstagesꢀandꢀPWMꢀstagesꢀ(TTF,ꢀLLC)ꢀforꢀhighꢀpower/performance

SMPSꢀe.g.ꢀComputing,ꢀServer,ꢀTelecom,ꢀUPSꢀandꢀSolar.

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Q_g,typ

Value

650

125

Unit

mΩ

I_D,pulse

I_D,continuous@ T_j<150°C 30

E_oss@ 400V

µJ

Body diode di_F/dt

380

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPL60R125C7

PG-VSON-4

60C7125

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2017-08-30

12 3 4 5 6 7...14

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