Datasheet > IPL60R125P7

IPL60R125P7

更新时间： 2024-02-20 00:43:45

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅开关脉冲晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
14页	1316K
描述
600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPL60R125P7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PSSO-N4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.69	雪崩能效等级（Eas）：	82 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	27 A
最大漏极电流 (ID)：	27 A	最大漏源导通电阻：	0.125 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-PSSO-N4
湿度敏感等级：	2A	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	111 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	78 A
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPL60R125P7 数据手册

IPL60R125P7

MOSFET

ThinPAKꢀ8x8

600VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀTransistor

TheꢀCoolMOS™ꢀ7thꢀgenerationꢀplatformꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀfor

highꢀvoltageꢀpowerꢀMOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunction

(SJ)ꢀprincipleꢀandꢀpioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀTheꢀ600V

CoolMOS™ꢀP7ꢀseriesꢀisꢀtheꢀsuccessorꢀtoꢀtheꢀCoolMOS™ꢀP6ꢀseries.ꢀIt

combinesꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSJꢀMOSFETꢀwithꢀexcellentꢀease

ofꢀuse,ꢀe.g.ꢀveryꢀlowꢀringingꢀtendency,ꢀoutstandingꢀrobustnessꢀofꢀbody

diodeꢀagainstꢀhardꢀcommutationꢀandꢀexcellentꢀESDꢀcapability.

Furthermore,ꢀextremelyꢀlowꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlossesꢀmake

switchingꢀapplicationsꢀevenꢀmoreꢀefficient,ꢀmoreꢀcompactꢀandꢀmuch

cooler.

Features

Drain

Pin 5

•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀ(PFCꢀandꢀLLC)ꢀdueꢀtoꢀanꢀoutstanding

ꢀꢁcommutationꢀruggedness

•ꢀSignificantꢀreductionꢀofꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlosses

•ꢀExcellentꢀESDꢀrobustnessꢀ>2kVꢀ(HBM)ꢀforꢀallꢀproducts

•ꢀBetterꢀR_DS(on)/packageꢀproductsꢀcomparedꢀtoꢀcompetitionꢀenabledꢀbyꢀa

ꢀꢁlowꢀR_DS(on)*Aꢀ(belowꢀ1Ohm*mm²)

Gate

Pin 1

Driver

Source

Pin 2

Power

Source

Pin 3,4

•ꢀFullyꢀqualifiedꢀacc.ꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Benefits

•ꢀEaseꢀofꢀuseꢀandꢀfastꢀdesign-inꢀthroughꢀlowꢀringingꢀtendencyꢀandꢀusage

ꢀꢁacrossꢀPFCꢀandꢀPWMꢀstages

•ꢀSimplifiedꢀthermalꢀmanagementꢀdueꢀtoꢀlowꢀswitchingꢀandꢀconduction

ꢀꢁlosses

•ꢀIncreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutionsꢀenabledꢀbyꢀusingꢀproductsꢀwith

ꢀꢁsmallerꢀfootprintꢀandꢀhigherꢀmanufacturingꢀqualityꢀdueꢀtoꢀ>2ꢀkVꢀESD

ꢀꢁprotection

•ꢀSuitableꢀforꢀaꢀwideꢀvarietyꢀofꢀapplicationsꢀandꢀpowerꢀranges

Potentialꢀapplications

PFCꢀstages,ꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀstages

forꢀe.g.ꢀꢀꢀPCꢀSilverbox,ꢀAdapter,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTV,ꢀLighting,ꢀServer,ꢀTelecom

andꢀUPS.

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Value

650

125

Unit

mΩ

Q_g,typ

I_D,pulse

E_oss@ 400V

Body diode di_F/dt

4.0

µJ

800

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPL60R125P7

PG-VSON-4

60R125P7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2018-05-15

12 3 4 5 6 7...14

下载PDF

与IPL60R125P7相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IPL60R140CFD7	INFINEON	600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj	获取价格
IPL60R140CFD7AUMA1	INFINEON	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IPL60R160CFD7	INFINEON	600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj	获取价格
IPL60R180P6	INFINEON	英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在	获取价格
IPL60R185C7	INFINEON	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IPL60R185CFD7	INFINEON	600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPL60R125P7

IPL60R125P7 技术参数

IPL60R125P7 数据手册

与IPL60R125P7相关器件

与IPL60R125P7相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPL60R125P7

IPL60R125P7 技术参数

IPL60R125P7 数据手册

与IPL60R125P7相关器件

与IPL60R125P7相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？