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IM8R-67025V-30 PDF预览

IM8R-67025V-30

更新时间: 2024-02-14 20:07:57
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 257K
描述
Dual-Port SRAM, 8KX16, 30ns, CMOS, CPGA84, PGA-84

IM8R-67025V-30 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:PGA-84Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88最长访问时间:30 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-CPGA-P84
JESD-609代码:e0内存密度:131072 bit
内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:2
端子数量:84字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:8KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:PGA
封装等效代码:PGA84M,11X11封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0002 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.32 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子节距:2.54 mm端子位置:PERPENDICULAR
Base Number Matches:1

IM8R-67025V-30 数据手册

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M 67025  
MATRA MHS  
Interface  
Block Diagram  
Note :  
1. (MASTER) : BUSY is output. (SLAVE) : BUSY is input.  
2. LB = Lower Byte UB = Upper Byte  
Pin Names  
LEFT PORT  
RIGHT PORT  
NAMES  
CS  
L
CS  
R
Chip select  
R/W  
R/W  
Read/Write Enable  
Output Enable  
Address  
L
R
OE  
OE  
R
L
A
A
0R – 12R  
0L – 12L  
I/O  
I/O  
Data Input/Output  
Semaphore Enable  
Upper Byte Select  
Lower Byte Select  
Interrupt Flag  
Busy Flag  
0L – 15L  
0R – 15R  
SEM  
SEM  
R
L
UB  
UB  
R
L
LB  
LB  
R
L
INT  
INT  
R
L
BUSY  
BUSY  
R
L
M/S  
Vcc  
Master or Slave Select  
Power  
GND  
Ground  
2
Rev. D (29/09/95)  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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IM-910010% VISHAY

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IM-9120UH+-1%EWE2 VISHAY

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