是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-247 |
包装说明: | R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 2.27 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 应用: | EFFICIENCY |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON CARBIDE | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.7 V | JEDEC-95代码: | TO-247 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 最大非重复峰值正向电流: | 1432 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 40 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 183 W | 最大重复峰值反向电压: | 650 V |
最大反向电流: | 220 µA | 表面贴装: | NO |
技术: | SCHOTTKY | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDW40G65C5_12 | INFINEON |
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ThinQ!⢠Generation 5 represents Infineon le | |
IDW40G65C5B | INFINEON |
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650V SiC Schottky Diode | |
IDW40G65C5B_15 | INFINEON |
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650V SiC Schottky Diode | |
IDW40G65C5BXKSA2 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, | |
IDW40G65C5FKSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 40A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, | |
IDW40G65C5XKSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 40A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, | |
IDW50E60 | INFINEON |
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600 V, 50 A 发射极控制 硅二极管具有 ?TO-247 封装,主要为高达 30k | |
IDW60C65D1 | INFINEON |
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Rapid 1 650 V 开关,?60 A发射极控制?硅功率二极管具有TO-247封装和 | |
IDW75D65D1 | INFINEON |
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Rapid 1 650 V 开关, 75 A发射极控制 硅功率二极管 具有TO-247封装 | |
IDW75E60 | INFINEON |
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Fast Switching EmCon Diode |