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IDW40G65C5BXKSA2

更新时间: 2024-11-18 21:12:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网功效光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 698K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,

IDW40G65C5BXKSA2 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:18 weeks风险等级:2.27
其他特性:PD-CASE应用:EFFICIENCY
外壳连接:CATHODE配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON CARBIDE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.7 VJEDEC-95代码:TO-247
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:87 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:112 W最大重复峰值反向电压:650 V
最大反向电流:210 µA表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

IDW40G65C5BXKSA2 数据手册

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SiC  
Silicon Carbide Diode  
5th Generation thinQ!TM  
650V SiC Schottky Diode  
IDW40G65C5B  
Final Datasheet  
Rev. 2.0, 2015-04-13  
Power Management & Multimarket  

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