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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDW40G65C5B_15 | INFINEON |
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650V SiC Schottky Diode |
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| IDW40G65C5BXKSA2 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
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| IDW40G65C5FKSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 40A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
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| IDW40G65C5XKSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 40A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
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| IDW50E60 | INFINEON |
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600 V, 50 A 发射极控制 硅二极管具有 ?TO-247 封装，主要为高达 30k |
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| IDW60C65D1 | INFINEON |
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Rapid 1 650 V 开关,?60 A发射极控制?硅功率二极管具有TO-247封装和 |
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| IDW75D65D1 | INFINEON |
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Rapid 1 650 V 开关, 75 A发射极控制 硅功率二极管 具有TO-247封装 |
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| IDW75E60 | INFINEON |
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Fast Switching EmCon Diode |
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| IDW75E60_09 | INFINEON |
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600 V EmCon technology |
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| IDW80C65D1 | INFINEON |
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Rapid 1 650 V 开关,?80 A发射极控制?硅功率二极管 具有TO-247 封 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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