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IDW40G65C5B_15

更新时间： 2024-11-07 01:16:43

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IDW40G65C5B_15 数据手册

SiC

Silicon Carbide Diode

5^thGeneration thinQ!^TM

650V SiC Schottky Diode

IDW40G65C5B

Final Datasheet

Rev. 2.0, 2015-04-13

Power Management & Multimarket

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDW40G65C5BXKSA2	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,
IDW40G65C5FKSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 40A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,
IDW40G65C5XKSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 40A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,
IDW50E60	INFINEON	获取价格	600 V, 50 A 发射极控制硅二极管具有 ?TO-247 封装，主要为高达 30k
IDW60C65D1	INFINEON	获取价格	Rapid 1 650 V 开关,?60 A发射极控制?硅功率二极管具有TO-247封装和
IDW75D65D1	INFINEON	获取价格	Rapid 1 650 V 开关, 75 A发射极控制硅功率二极管具有TO-247封装
IDW75E60	INFINEON	获取价格	Fast Switching EmCon Diode
IDW75E60_09	INFINEON	获取价格	600 V EmCon technology
IDW80C65D1	INFINEON	获取价格	Rapid 1 650 V 开关,?80 A发射极控制?硅功率二极管具有TO-247 封
IDW80C65D2	INFINEON	获取价格	Rapid 2 650 V 开关,?80 A发射极控制?硅功率二极管具有TO-247封装