是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 50 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 16 | 端子数量: | 40 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC |
封装等效代码: | SIP40,.1 | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.03 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.3 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 6 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT8M612S60C | IDT |
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SRAM Module, 32KX16, 60ns, CMOS, CDIP40 | |
IDT8M612S60CB | IDT |
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暂无描述 | |
IDT8M612S60S | IDT |
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SRAM Module, 32KX16, 60ns, CMOS | |
IDT8M612S70C | IDT |
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SRAM Module, 32KX16, 70ns, CMOS, CDIP40 | |
IDT8M612S70CB | IDT |
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暂无描述 | |
IDT8M612S85CB | ETC |
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x16 SRAM Module | |
IDT8M624L100C | IDT |
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SRAM Module, 64KX16, 100ns, CMOS, CDIP40 | |
IDT8M624L85C | IDT |
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SRAM Module, 64KX16, 85ns, CMOS, CDIP40 | |
IDT8M624S100C | IDT |
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SRAM Module, 64KX16, 100ns, CMOS, CDIP40 | |
IDT8M624S100CB | ETC |
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x16 SRAM Module |