是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.91 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 70 ns |
其他特性: | TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-CDMA-T40 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 40 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 64KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP40,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
最大待机电流: | 0.08 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.34 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT8M624S85C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX16, 85ns, CMOS, CDIP40 | |
IDT8M624S85CB | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module | |
IDT8M628S35C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 8KX16, 35ns, CMOS, CDIP40 | |
IDT8M628S40C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 8KX16, 40ns, CMOS, CDIP40 | |
IDT8M628S40CB | IDT |
获取价格 |
Memory IC | |
IDT8M628S50C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 8KX16, 50ns, CMOS, CDIP40 | |
IDT8M628S50CB | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module | |
IDT8M628S60C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 8KX16, 60ns, CMOS, CDIP40 | |
IDT8M628S60CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 8KX16, 60ns, CMOS, CDIP40 | |
IDT8M628S70C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 8KX16, 70ns, CMOS, CDIP40 |