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IDT8M624S70CB

更新时间: 2024-11-07 20:33:03
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 输入元件静态存储器输出元件内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 217K
描述
SRAM Module, 64KX16, 70ns, CMOS, CDMA40

IDT8M624S70CB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.91
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
其他特性:TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTSI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-CDMA-T40JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:40字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:64KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP40,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流:0.08 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.34 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

IDT8M624S70CB 数据手册

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