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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.91 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 50 ns |
| 其他特性： | TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-CDMA-T40 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 524288 bit | 内存集成电路类型： | SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 40 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 32KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP40,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
| 最大待机电流： | 0.04 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.3 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT8M612S50S | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX16, 50ns, CMOS |
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| IDT8M612S60C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX16, 60ns, CMOS, CDIP40 |
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| IDT8M612S60CB | IDT |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IDT8M612S60S | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX16, 60ns, CMOS |
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| IDT8M612S70C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX16, 70ns, CMOS, CDIP40 |
|
| IDT8M612S70CB | IDT |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IDT8M612S85CB | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
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| IDT8M624L100C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX16, 100ns, CMOS, CDIP40 |
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| IDT8M624L85C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX16, 85ns, CMOS, CDIP40 |
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| IDT8M624S100C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX16, 100ns, CMOS, CDIP40 |
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