是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 35 ns |
其他特性: | SEMAPHORE | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-T64 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 64 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP64,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.125 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.94 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7M1001S35CB | IDT |
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128K x 8 64K x 8 CMOS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE | |
IDT7M1001S40C | IDT |
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128K x 8 64K x 8 CMOS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE | |
IDT7M1001S40CB | IDT |
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128K x 8 64K x 8 CMOS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE | |
IDT7M1001S50C | IDT |
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128K x 8 64K x 8 CMOS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE | |
IDT7M1001S50CB | IDT |
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128K x 8 64K x 8 CMOS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE | |
IDT7M1001S65C | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM Module | |
IDT7M1001S65CB | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM Module | |
IDT7M1001S80CB | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM Module | |
IDT7M1002 | IDT |
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16K x 32 CMOS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE | |
IDT7M1002S100GB | IDT |
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Multi-Port SRAM Module, 16KX32, 100ns, CMOS, CPGA121, 1.300 X 1.300 INCH, CERAMIC, PGA-121 |