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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 65 ns |
| 其他特性： | SEMAPHORE | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-T64 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 64 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP64,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
| 最大待机电流： | 0.245 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 1.13 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IDT7M1001S65CB | ETC | x8 Dual-Port SRAM Module |
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| IDT7M1001S80CB | ETC | x8 Dual-Port SRAM Module |
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| IDT7M1002 | IDT | 16K x 32 CMOS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE |
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| IDT7M1002S100GB | IDT | Multi-Port SRAM Module, 16KX32, 100ns, CMOS, CPGA121, 1.300 X 1.300 INCH, CERAMIC, PGA-121 |
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| IDT7M1002S25G | ETC | x32 Dual-Port SRAM Module |
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|
| IDT7M1002S30G | IDT | 16K x 32 CMOS DUAL-PORT STATIC RAM MODULE |
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