是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LFQFP, QFP128,.63X.87,20 | 针数: | 128 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 12 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 50 MHz |
周期时间: | 20 ns | JESD-30 代码: | R-PQFP-G128 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 20 mm |
内存密度: | 4608 bit | 内存集成电路类型: | OTHER FIFO |
内存宽度: | 18 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 128 |
字数: | 256 words | 字数代码: | 256 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256X18 | |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFQFP | 封装等效代码: | QFP128,.63X.87,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大待机电流: | 0.01 A |
子类别: | FIFOs | 最大压摆率: | 0.06 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT72V805L20PFI | IDT |
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3.3 VOLT CMOS DUAL SyncFIFO DUAL 256 x 18, DUAL 512 x 18, DUAL 1,024 x 18, DUAL 2,048 x 18 | |
IDT72V81 | IDT |
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3.3 Volt CMOS DUAL ASYNCHRONOUS FIFO DUAL 512 x 9, DUAL 1,024 x 9 DUAL 2,048 x 9, DUAL 4,0 | |
IDT72V81_06 | IDT |
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3.3 Volt CMOS DUAL ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT72V81_09 | IDT |
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3.3 Volt CMOS DUAL ASYNCHRONOUS FIFO DUAL 512 x 9, DUAL 1,024 x 9 DUAL 2,048 x 9, DUAL 4,0 | |
IDT72V811 | IDT |
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3.3 VOLT DUAL CMOS SyncFIFO⑩ | |
IDT72V811L10PF | IDT |
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3.3 VOLT DUAL CMOS SyncFIFO⑩ | |
IDT72V811L10PF8 | IDT |
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FIFO, 512X9, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 | |
IDT72V811L10PFG | IDT |
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Bi-Directional FIFO, 512X9, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, GREEN, PLASTIC, TQFP-64 | |
IDT72V811L10TF | IDT |
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3.3 VOLT DUAL CMOS SyncFIFO⑩ | |
IDT72V811L10TF8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 512X9, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, PLASTIC, SLIM, TQFP-64 |