是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | TQFP-128 | 针数: | 128 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.86 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 12 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 50 MHz | 周期时间: | 20 ns |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G128 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 4608 bit |
内存集成电路类型: | OTHER FIFO | 内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 128 | 字数: | 256 words |
字数代码: | 256 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256X18 | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LFQFP |
封装等效代码: | QFP128,.63X.87,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大待机电流: | 0.01 A | 子类别: | FIFOs |
最大压摆率: | 0.06 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT72V805L20PFG | IDT |
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FIFO, 256X18, 12ns, Synchronous, CMOS, PQFP128, GREEN, TQFP-128 | |
IDT72V805L20PFI | IDT |
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3.3 VOLT CMOS DUAL SyncFIFO DUAL 256 x 18, DUAL 512 x 18, DUAL 1,024 x 18, DUAL 2,048 x 18 | |
IDT72V81 | IDT |
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3.3 Volt CMOS DUAL ASYNCHRONOUS FIFO DUAL 512 x 9, DUAL 1,024 x 9 DUAL 2,048 x 9, DUAL 4,0 | |
IDT72V81_06 | IDT |
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3.3 Volt CMOS DUAL ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT72V81_09 | IDT |
获取价格 |
3.3 Volt CMOS DUAL ASYNCHRONOUS FIFO DUAL 512 x 9, DUAL 1,024 x 9 DUAL 2,048 x 9, DUAL 4,0 | |
IDT72V811 | IDT |
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3.3 VOLT DUAL CMOS SyncFIFO⑩ | |
IDT72V811L10PF | IDT |
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3.3 VOLT DUAL CMOS SyncFIFO⑩ | |
IDT72V811L10PF8 | IDT |
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FIFO, 512X9, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 | |
IDT72V811L10PFG | IDT |
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Bi-Directional FIFO, 512X9, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, GREEN, PLASTIC, TQFP-64 | |
IDT72V811L10TF | IDT |
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3.3 VOLT DUAL CMOS SyncFIFO⑩ |