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IDT7206L80TC

更新时间： 2024-09-11 08:00:03

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟先进先出芯片内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	1091K
描述
FIFO, 16KX9, 80ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP-28

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IDT7206L80TC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.9
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	RETRANSMIT
最大时钟频率 (fCLK)：	10 MHz	周期时间：	100 ns
JESD-30 代码：	R-CDIP-T28	JESD-609代码：	e0
内存密度：	147456 bit	内存集成电路类型：	OTHER FIFO
内存宽度：	9	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16KX9	输出特性：	3-STATE
可输出：	NO	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	FIFOs
最大压摆率：	0.12 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7206L80TCB	IDT	获取价格	FIFO, 16KX9, 80ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP
IDT7206L80TD	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7206L80TDB	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7206L80TP	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7206L80TPB	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7206S120C	IDT	获取价格	FIFO, 16KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28
IDT7206S120D	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7206S120DB	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7206S120J	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7206S120JB	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9