是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | CERDIP-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.06 | 最长访问时间: | 25 ns |
其他特性: | RETRANSMIT | 最大时钟频率 (fCLK): | 28.5 MHz |
周期时间: | 35 ns | JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 37.211 mm |
内存密度: | 18432 bit | 内存集成电路类型: | OTHER FIFO |
内存宽度: | 9 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2KX9 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | NO | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.002 A |
子类别: | FIFOs | 最大压摆率: | 0.12 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7203L25DB | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7203L25DG | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7203L25DGI | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7203L25J | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7203L25JB | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7203L25JG | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7203L25JG8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
IDT7203L25JGI | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7203L25JGI8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
IDT7203L25JI | IDT |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |