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IDT7203L25TC

更新时间： 2024-11-06 21:14:39

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟先进先出芯片内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	417K
描述
FIFO, 2KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP-28

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IDT7203L25TC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	25 ns
其他特性：	RETRANSMIT	最大时钟频率 (fCLK)：	28.5 MHz
周期时间：	35 ns	JESD-30 代码：	R-CDIP-T28
JESD-609代码：	e0	内存密度：	18432 bit
内存集成电路类型：	OTHER FIFO	内存宽度：	9
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2KX9
输出特性：	3-STATE	可输出：	NO
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	FIFOs	最大压摆率：	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7203L25TD	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7203L25TDB	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7203L25TDG	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO
IDT7203L25TDGI	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO
IDT7203L25TP	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7203L25TPB	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7203L25TPG	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO
IDT7203L25TPGI	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO
IDT7203L25TPI	IDT	获取价格	FIFO, 2KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28
IDT7203L25XE	IDT	获取价格	FIFO, 2KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28, CERPACK-28