IDT71V65803S133BQ

更新时间： 2024-11-07 22:38:31

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艾迪悌 - IDT		存储内存集成电路静态存储器
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256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs

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IDT71V65803S133BQ 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TBGA, BGA165,11X15,40	针数：	165
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	4.2 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	JESD-609代码：	e0
长度：	15 mm	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TBGA
封装等效代码：	BGA165,11X15,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.04 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	13 mm
Base Number Matches：	1

IDT71V65803S133BQ 数据手册

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256K x 36, 512K x 18

3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs

ZBT™Feature

IDT71V65603

IDT71V65803

3.3V I/O, Burst Counter

PipelinedOutputs

Features

AddressandcontrolsignalsareappliedtotheSRAMduringoneclock

cycle,andtwocycleslatertheassociateddatacycleoccurs,beitreadorwrite.

TheIDT71V65603/5803containdataI/O,addressandcontrolsignal

registers.Outputenableistheonlyasynchronoussignalandcanbeused

todisabletheoutputsatanygiventime.

◆

256K x 36, 512K x 18 memory configurations

◆

Supports high performance system speed - 150MHz

(3.8ns Clock-to-Data Access)

ZBT^TMFeature - No dead cycles between write and read cycles

◆

Internally synchronized output buffer enable eliminates the

AClockEnable(CEN)pinallowsoperationoftheIDT71V65603/5803to

besuspendedaslongasnecessary.Allsynchronousinputsareignoredwhen

(CEN)ishighandtheinternaldeviceregisterswillholdtheirpreviousvalues.

Therearethreechipenablepins(CE1,CE2,CE2)thatallowtheuser

todeselectthedevicewhendesired.Ifanyoneofthesethreearenotasserted

whenADV/LDislow,nonewmemoryoperationcanbeinitiated.However,

anypendingdatatransfers(readsorwrites)willbecompleted.Thedatabus

willtri-statetwocyclesafterchipisdeselectedorawriteisinitiated.

TheIDT71V65603/5803haveanon-chipburstcounter.Intheburst

mode,theIDT71V65603/5803canprovidefourcyclesofdataforasingle

address presented to the SRAM. The order of the burst sequence is

defined by the LBO input pin. The LBO pin selects between linear and

interleaved burst sequence. The ADV/LD signal is used to load a new

externaladdress(ADV/LD=LOW) orincrementtheinternalburstcounter

(ADV/LD = HIGH).

need to control OE

Single R/W (READ/WRITE) control pin

Positive clock-edge triggered address, data, and control

signal registers for fully pipelined applications

4-word burst capability (interleaved or linear)

Individual byte write (BW1 - BW4) control (May tie active)

Three chip enables for simple depth expansion

3.3V power supply (±5%)

3.3V I/O Supply (VDDQ)

Power down controlled by ZZ input

Packaged in a JEDEC standard 100-pin plastic thin quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch

ball grid array(fBGA).

◆

Description

The IDT71V65603/5803 are 3.3V high-speed 9,437,184-bit

(9Megabit)synchronousSRAMS.Theyaredesignedtoeliminatedeadbus

cycleswhenturningthebusaroundbetweenreadsandwrites,orwritesand

The IDT71V65603/5803 SRAM utilize IDT's latest high-performance

CMOSprocess,andarepackagedinaJEDECStandard14mmx20mm100-

pinthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119ballgridarray(BGA)and

165 fine pitch ball grid array (fBGA) .

reads.Thus,theyhavebeengiventhenameZBT ,orZeroBusTurnaround.

PinDescriptionSummary

A -A

Address Inputs

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enables

CE , CE , CE

Output Enable

R/W

CEN

Read/Write Signal

Clock Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

BW , BW , BW , BW

CLK

ADV/LD

LBO

Advance burst address / Load new address

Linear / Interleaved Burst Order

Sleep Mode

Synchronous

Static

Asynchronous

Synchronous

Static

I/O -I/O , I/O -I/O

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

DD DDQ

V , V

Supply

Static

5304 tbl 01

ZBT and Zero Bus Turnaround are trademarks of Integrated Device Technology, Inc. and the architecture is supported by Micron Technology and Motorola, Inc.

DECEMBER 2002

DSC-5304/05

12 3 4 5 6 7...26

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IDT71V65803S133BQ 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IDT71V65803S133BQG	IDT	功能相似	ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
IDT71V65803S133BQGI	IDT	功能相似	ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V65803S133BQG	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
IDT71V65803S133BQGI	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
IDT71V65803S133BQI	IDT	获取价格	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
IDT71V65803S133BQI8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
IDT71V65803S133PF	IDT	获取价格	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
IDT71V65803S133PFG	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MO-136, TQFP-100
IDT71V65803S133PFGI	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MO-136, TQFP-100
IDT71V65803S133PFGI8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V65803S133PFI	IDT	获取价格	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
IDT71V65803S150BG	IDT	获取价格	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs

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