Datasheet > IDT71V65802S166BG

IDT71V65802S166BG

更新时间： 2024-09-20 09:42:07

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	305K
描述
ZBT SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT71V65802S166BG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119	针数：	119
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.72
最长访问时间：	3.5 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
JESD-609代码：	e3	长度：	22 mm
内存密度：	9437184 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.5 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	14 mm

IDT71V65802S166BG 数据手册

浏览型号IDT71V65802S166BG的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IDT71V65802S166BG的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IDT71V65802S166BG的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IDT71V65802S166BG的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IDT71V65802S166BG的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IDT71V65802S166BG的Datasheet PDF文件第7页

256K x 36, 512K x 18

Preliminary

IDT71V65602

IDT71V65802

3.3VSynchronousZBT™SRAMs

2.5V I/O, Burst Counter

PipelinedOutputs

AddressandcontrolsignalsareappliedtotheSRAMduringoneclock

cycle,andtwocycleslatertheassociateddatacycleoccurs,beitreadorwrite.

TheIDT71V65602/5802containdataI/O,addressandcontrolsignal

registers.Outputenableistheonlyasynchronoussignalandcanbeused

todisabletheoutputsatanygiventime.

AClockEnable(CEN)pinallowsoperationoftheIDT71V65602/5802

to be suspended as long as necessary. All synchronous inputs are

ignoredwhen(CEN)ishighandtheinternaldeviceregisterswillholdtheir

previous values.

Features

◆

256K x 36, 512K x 18 memory configurations

◆

Supports high performance system speed - 166MHz(3.5ns

Clock-to-Data Access)

ZBT^TMFeature - No dead cycles between write and read cycles

◆

Internally synchronized output buffer enable eliminates

the need to control OE

◆

Single R/W (READ/WRITE) control pin

◆

Positive clock-edge triggered address, data, and control

There are three chip enable pins (CE¹, CE2, CE2) that allow the

user to deselect the device when desired. If any one of these three are

not asserted when ADV/LD is low, no new memory operation can be

initiated. However, any pending data transfers (reads or writes) will be

completed.Thedatabuswilltri-statetwocyclesafterchipisdeselectedor

awriteisinitiated.

TheIDT71V65602/5802haveanon-chipburstcounter.Intheburst

mode,theIDT71V65602/5802canprovidefourcyclesofdataforasingle

address presented to the SRAM. The order of the burst sequence is

defined by the LBO input pin. The LBO pin selects between linear and

interleaved burst sequence. The ADV/LD signal is used to load a new

externaladdress(ADV/LD=LOW) orincrementtheinternalburstcounter

(ADV/LD = HIGH).

The IDT71V65602/5802 SRAM utilize IDT's latest high-performance

CMOSprocess,andarepackagedinaJEDECStandard14mmx20mm100-

leadthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119-leadballgridarray(BGA).

signal registers for fully pipelined applications

4-word burst capability (interleaved or linear)

Individual byte write (BW¹- BW⁴) control (May tie active)

Three chip enables for simple depth expansion

3.3V power supply (±5%)

2.5V I/O Supply (VDDQ)

Power down controlled by ZZ input

Packaged in a JEDEC standard 100-lead plastic thin quad

◆

Description

The IDT71V65602/5802 are 3.3V high-speed 9,437,184-bit

(9Megabit)synchronousSRAMs.Theyaredesignedtoeliminatedead

bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or

writes andreads.Thus,theyhavebeengiventhenameZBT ,orZero

Bus Turnaround.

PinDescriptionSummary

-A¹⁸

Addres s Inputs

Input

Output

Input

I/O

Synchronous

As ynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enables

, CE

Output Enable

Re ad/Write Signal

Clock Enable

CEN

Individual Byte Write Se le cts

Clock

CLK

ADV/LD

LBO

TMS

TDI

Advance burst addres s / Load new addre ss

Line ar / Inte rle ave d Burs t Orde r

Te st Mode Se lect

Te st Data Input

Synchronous

Static

N/A

TCK

TDO

Te s t Clo c k

N/A

Te s t Data O utp ut

Slee p Mode

N/A

As ynchronous

Synchronous

Static

I/O

-I/O³¹, I/O^P1-I/O^P4

Data Input / Outp ut

Core Powe r, I/O Powe r

Ground

V^DD, V^DDQ

Supply

Static

5303 tbl 01

ZBT and Zero Bus Turnaround are trademarks of Integrated Device Technology, Inc. and the architecture is supported by Micron Technology and Motorola, Inc.

DECEMBER 1999

DSC-5303/00

12 3 4 5 6 7...23

中文翻译

下载PDF

与IDT71V65802S166BG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V65802Z100BG	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, MS-028AA, BGA-119
IDT71V65802Z100BGI	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, MS-028AA, BGA-119
IDT71V65802Z100BQI	IDT	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FPBGA-165
IDT71V65802Z100PF	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, PLASTIC, MO
IDT71V65802Z133BG	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, MS-028AA, BGA-119
IDT71V65802Z133BGI	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, MS-028AA, BGA-119
IDT71V65802Z133BQ	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FPBGA-165
IDT71V65802Z133BQI	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FPBGA-165
IDT71V65802Z150BGI	IDT	获取价格	暂无描述
IDT71V65803	IDT	获取价格	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs

与IDT71V65802S166BG相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

27
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

25
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

99
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

91

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V65802S166BG

IDT71V65802S166BG 技术参数

IDT71V65802S166BG 数据手册

与IDT71V65802S166BG相关器件

与IDT71V65802S166BG相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V65802S166BG

IDT71V65802S166BG 技术参数

IDT71V65802S166BG 数据手册

与IDT71V65802S166BG相关器件

与IDT71V65802S166BG相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？