Datasheet > IDT71V428L15YI8

IDT71V428L15YI8

更新时间： 2024-11-09 15:44:07

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	72K
描述
Standard SRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT71V428L15YI8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.9	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	15 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J32	JESD-609代码：	e0
长度：	20.96 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	4
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ32,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.76 mm
最大待机电流：	0.01 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

IDT71V428L15YI8 数据手册

3.3V CMOS Static RAM

4 Meg (1M x 4-Bit)

IDT71V428S

IDT71V428L

Features

◆

Description

◆

1M x 4 advanced high-speed CMOS Static RAM

JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise

Equal access and cycle times

The IDT71V428 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM orga-

nized as 1M x 4. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-

reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology, com-

bined with innovative circuit design techniques, provides a cost-

effective solution for high-speed memory needs.

— Commercial and Industrial: 10/12/15ns

Single 3.3V power supply

One Chip Select plus one Output Enable pin

Bidirectional data inputs and outputs directly

LVTTL-compatible

◆

TheIDT71V428has anoutputenablepinwhichoperates as fastas

5ns, withaddress access times as fastas 10ns. Allbidirectionalinputs

andoutputs ofthe IDT71V428are LVTTL-compatible andoperationis

from a single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry is used,

requiringnoclocks orrefreshforoperation.

◆

Low power consumption via chip deselect

Available in 32-pin, 400 mil plastic SOJ package.

The IDT71V428 is packaged in a 32-pin, 400 mil Plastic SOJ.

Functional Block Diagram

•

4,194,304-BIT

MEMORY ARRAY

ADDRESS

DECODER

A19

I/O0 – I/O3

•

I/O CONTROL

CONTROL

LOGIC

3623 drw 01

SEPTEMBER 2004

DSC-3623/06

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与IDT71V428L15YI8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V428L15YYYG	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (1M x 4-Bit)
IDT71V428L15YYYGI	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (1M x 4-Bit)
IDT71V428S	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (1M x 4-Bit)
IDT71V428S10Y	IDT	获取价格	Standard SRAM, 1MX4, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
IDT71V428S10YG	IDT	获取价格	Standard SRAM, 1MX4, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-32
IDT71V428S10YGI	IDT	获取价格	暂无描述
IDT71V428S10YGI8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 1MX4, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-32
IDT71V428S10YYYG	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (1M x 4-Bit)
IDT71V428S10YYYGI	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (1M x 4-Bit)
IDT71V428S12Y	IDT	获取价格	3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (1M x 4-BIT)

与IDT71V428L15YI8相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

22
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

21
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

48
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

39

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V428L15YI8

IDT71V428L15YI8 技术参数

IDT71V428L15YI8 数据手册

与IDT71V428L15YI8相关器件

与IDT71V428L15YI8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V428L15YI8

IDT71V428L15YI8 技术参数

IDT71V428L15YI8 数据手册

与IDT71V428L15YI8相关器件

与IDT71V428L15YI8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？