是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.9 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 15 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20.96 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 4 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ32,.44 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.76 mm |
最大待机电流: | 0.01 A | 最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.12 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71V428L15YYYG | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (1M x 4-Bit) | |
IDT71V428L15YYYGI | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (1M x 4-Bit) | |
IDT71V428S | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (1M x 4-Bit) | |
IDT71V428S10Y | IDT |
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Standard SRAM, 1MX4, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 | |
IDT71V428S10YG | IDT |
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Standard SRAM, 1MX4, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-32 | |
IDT71V428S10YGI | IDT |
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暂无描述 | |
IDT71V428S10YGI8 | IDT |
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Standard SRAM, 1MX4, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-32 | |
IDT71V428S10YYYG | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (1M x 4-Bit) | |
IDT71V428S10YYYGI | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (1M x 4-Bit) | |
IDT71V428S12Y | IDT |
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3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (1M x 4-BIT) |