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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | QCCJ, LDCC52,.8SQ |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 55 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 | JESD-609代码： | e3 |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 52 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 2KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装等效代码： | LDCC52,.8SQ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.115 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71V421S55JGI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQCC52 |
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| IDT71V421S55JI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
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| IDT71V421S55JI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQCC52 |
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| IDT71V421S55PF | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
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| IDT71V421S55PF8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64 |
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| IDT71V421S55PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64 |
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| IDT71V421S55PFG8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64 |
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| IDT71V421S55PFGI | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64 |
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| IDT71V421S55PFGI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64 |
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| IDT71V421S55PFI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
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